1. Знизити пористість, швидкість утворення кришталевого ядра більше, ніж швидкість росту, що сприяє уточненості кришталевого ядра.
2. Вдосконаліть силу склеювання і зробіть розлам пасивної плівки, що сприяє міцному зв'язку між підкладкою і покриттям.
3. Поліпшити покриття і здатність до дисперсії. Високий негативний потенціал катода дозволяє відкладати пасивні частини звичайного гальванічного окалення, а також уповільнює «пекучі» і «дендритні» виступаючи частини складних частин через надмірне споживання відкладених іонів. Відкладені дефекти можуть бути зменшені до 1/3 ~ 1/2 початкової товщини для отримання даної характеристики покриття (наприклад, колір, відсутність пористості і т.д.), збереження сировини.
4. Зменшити внутрішній стрес покриття, поліпшити дефекти решітки, домішки, порожнечі, пухлини і т.д., легко отримати безтріскані покриття і зменшити добавки.
5. Вигідно отримувати сплавне покриття зі стабільним складом.
6. Поліпшити розчинення анода, без активатора анода.
7. Поліпшити механічні та фізичні властивості покриття, такі як збільшення щільності, зниження стійкості до поверхні та опору об'єму, підвищення в'язкості, зносостійкості та корозійної стійкості, а також контроль твердості покриття.
